首页 > 穿梭在历史大事件中的将军 > 160 天然优势，背靠祖国
而同期间的日本半导体产业，从1985年开端日本经济进入泡沫化，全民炒房。
在集成度方面，韩国人是日本人的360%。
韩国LG以15.4亿美金居第九位。
再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战役”中，完整打倒老敌手日本东芝。
随后，海力士又向天朝商务部提出，增资15亿美金再建一座12寸晶圆厂(80纳米工艺)并敏捷通过审批。
1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达80%，这就给韩国人反超的机遇。
工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行构成存款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金存款。
这就是大师所熟谙的，韩国人在半导体范畴的所谓的第一次“反周期投资”。
1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。
在闻名的《科技红利大期间》一书中，初次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研讨思惟。
别的，在20亿美金总投资以外，无锡市当局还承担厂房扶植，无锡市当局一共出资3亿美圆扶植两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体利用。
2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。
米国人“扶韩抗日”，在米国人尽力搀扶下，特别是1985、1991年《美日半导体和谈》的签订，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追逐到抢先。
以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作干系，三星在DRAM以外，获得了大量芯片财产资本。
韩国工贸部在汉城南部80千米的松炭和天安，设立两个产业园区，专门供应半导体设备厂商设厂。
从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的根本上，通过压强原则，扩大对日本人的合作上风，完成了从追逐到超出的大逆袭过程。
1992年，三星开端抢先日本，推出环球第一个64M DRAM产品。
1995年韩国人再次快速晋升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度晋升，同比增速高达96.82%。
2009年第三季度，海力士扭亏为盈。
第四，财产链横向扩大，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。
庞煖们以海力士为例：
128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗进步到1400万颗，增加了115%。
韩国半导体出口产值131亿美金，期间增加418%。
2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。
如同日韩半导体战役中，米国人放开米国海内市场给韩国人普通。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广漠的计谋纵深。
1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。
1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居天下第一。